Kupfer und Keramik als Grundlage für die einzigartige DCB-Technologie

Wie der Name curamik assoziiert, liegt das Geheimnis unserer Arbeit in einer einzigartigen Synthese aus Kupfer und Keramik.

Die  Basis von DCB-Substraten ist ein keramischer Isolator (heute Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrid), auf dem bei einem Hochtemperaturschmelz- und Diffusionsprozess reines Kupfer aufgebracht und haftfest mit der Keramik verbunden wird. Daher der Name Direct Copper Bonded.

Speziell die hohe Wärmeleitfähigkeit (bis zu 180 W/mK) sowie die hohe Wärmekapazität und -spreizung der dicken Kupferbeschichtung (200 - 600 µm) machen DCB-Substrate in der Leistungselektronik unersetzlich.

Die Verwendung von hochreinem Kupfer macht die Stromtragfähigkeit gegenüber alternativen Technologien einzigartig. Ein weiterer Grund dafür ist die geringe mechanische Stressbelastung der ungehäusten Siliziumchips, da diese eine ähnliche Wärmeausdehnung aufweisen wie DCB-Substrate.

Seit rund zehn Jahren findet diese DCB-Technologie auch bei Hochleistungskühlern Einsatz. Das Kernstück dabei ist eine Kanalstruktur aus dünnen Kupferfolien, die im Bondprozess von curamik zu einem hermetisch dichten Block zusammengefügt werden. So entsteht eine stark vergrößerte Kupferoberfläche, was eine effiziente Flüssigkühlung ermöglicht.