Direct Copper Bonded
Der Verbindungsprozess, der sogenannte Bondprozess, findet unter speziellen Bedingungen, welche das langjährige Know-How von curamik darstellen, bei über 1000 Grad Celsius in speziellen Öfen statt.
Dabei werden die beiden Hauptmaterialien (Keramik und Kupfer) haftfest zu einer keramischen Leiterplatte miteinander verbunden. Dabei entstehen Eigenschaften, welche sich ideal für Träger von Leistungshalbleiter in der COB Technik (Chip on Board) anbieten. Zu diesen herausragenden Eigenschaften gehören unter anderem der an das Halbleitermaterial angepasste Ausdehnungskoeffizient, die hohe Wärmespreizung, die sehr gute Wärmeleitfähigkeit, die hohe Stromtragfähigkeit sowie die enorme Wechsellastfestigkeit und Zuverlässigkeit.
Ein breites Spektrum an Keramik- und Kupferdicken, sowie die Auswahl verschiedener Keramikmaterialien stellen für nahezu jede Leistungsapplikation die perfekte Grundlage dar. Verschiedene Oberflächen (Cu, Ni, Pd, Au, Ag) sorgen für eine optimale Varianz für spätere Löt- und Drahtbondprozesse.
Die Mikrokanalkühler und deren Spezialform der Laserdiodenkühler werden z.T. nur aus Kupfer, jedoch im gleich gestalteten Bondprozess, hergestellt. Sie bieten eine sehr effektive Kühlmöglichkeit durch die starke Vergrößerung der Kühlfläche (Mikrokanalstruktur).





