Meilensteine der curamik-Entwicklung

1983  Gründung mit anfänglich drei Mitarbeitern und 800 m2 Fabrikfläche.
1986 Start der Al2O3 DCB Produktion.
1990 Verkaufsstart in den USA und erste Fabrikerweiterung auf 1.500 m2.
1992 Start der DCB Produktion im Mehrfachnutzen.
1993 Entwicklung des Dimple-Designs zur Erhöhung der
         Temperaturwechselbeständigkeit. Entwicklung des
         Schutzrandes für die DCB Produktion im Mehrfachnutzen.
1995 Start der AlN DCB Produktion.
1996 Produktionsstart der Mikrokanalkühler für Hochleistungslaserdioden.
         Herstellung durch Verbund von einzelnen Cu-Lagen im DCB Prozess.
1998 Errichtung von Vertriebsgesellschaften in Japan und China. Zweite
         Fabrikerweiterung auf 5.900 m2 in Eschenbach.
2003 Produktionsstart von DCB mit Zirkonium-dotierter Keramik zur Verwendung
         mit dickem Kupfer.
2004 Entwicklung der Stufenätzung zur beidseitigen Kühlung von
         Leistungshalbleitern.
2005 Produktionsstart von PDF-DCB Substraten (teilentladungsfreie Substrate).
2006 Dritte Werkserweiterung auf 13.000 m2, ca. 500 Mitarbeiter.
2007 Produktionsstart von AlN-DCB Kühlern im Großkartenformat
         für CPV Anwendungen (konzentrierte Photovoltaik).
2008 Einführung der partiellen Beschichtung (Silber, Nickel-Gold) für verschiedene
         Funktionsflächen und NTV-Verfahren.
2011 Rogers Corporation erwirbt 100% der curamik electronics GmbH und
         erweitert damit das Power Electronics Portfolio.